БАЗОВЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС: НЕРАЗРЫВНОЕ ЕДИНСТВО ЧЕТЫРЕХ ЭЛЕМЕНТОВ
- единый маршрут изготовления и одинаковые режимы технологических операций (единый комплект технологических документов на базовый процесс);
- единые методы, средства и критерии контроля технологического процесса (универсальный параметрический монитор, единая система, методы и критерии операционного контроля);
- единые правила проектирования (конструктивно-технологические ограничения);
- стабильный (подконтрольный) технологический процесс.
БАЗОВЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС (BASELINE PROCESS) - технологический процесс, ориентированный на изготовление широкой номенклатуры функционально различных, но конструктивно подобных изделий, спроектированных согласно правилам проектирования, разработанным для этого процесса.
ПРАВИЛА ПРОЕКТИРОВАНИЯ (DESIGN RULES) - совокупность норм, ограничений, правил и процедур, представляемых в установленных форматах, разработанных для базового технологического процесса; соблюдение этих правил при проектировании кристаллов СБИС обеспечивает возможность их изготовления в базовом процессе в соответствии с установленными требованиями к качеству и надежности.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ МОНИТОР (PARAMETRIC MONITOR) - совокупность тестовых структур на пластине, предназначенная для мониторинга выходных характеристик технологических операций и процесса изготовления СБИС.
ОРГАНИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ЦИКЛА НА ОСНОВЕ БАЗОВЫХ ПРОЦЕССОВ ПОЗВОЛИЛА:
- радикально сократить общее время разработки микросхемы - от замысла до освоения производства;
- в максимальной степени исключить итерационный подход к разработке микросхемы - внедрить принцип «успеха с первой попытки» (first pass success) за счет строгого соблюдения правил проектирования и поддержания технологического процесса в неизменно стабильном состоянии;
- в максимальной степени сократить время подготовки КД и ТД, разработки и изготовления оснастки за счет применения базовых конструкторских и технологических решений;
- в максимальной степени сократить объем и длительность проверок и испытаний за счет использования принципов конструктивно-технологического подобия и процессно-ориентированного форсирования режимов испытаний.
РАЗРАБОТАНЫ СЛЕДУЮЩИЕ БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ:
- Изготовление микросхем по проектным нормам 0.5, 0.35, и 0.25 мкм на эпитаксиальных структурах;
- Изготовление микросхем по проектным нормам 0.5, 0.35, и 0.25 мкм на структурах КНИ.